1 引言
隨著(zhù)現代科技的發(fā)展，半導體器件和組件在工程、商業(yè)上得到了廣泛應用。它在雷達、遙控遙測、航空航天等的大量應用對其可靠性提出了越來(lái)越高的要求。而因芯片焊接（粘貼）不良造成的失效也越來(lái)越引起了人們的重視，因為這種失效往往是致命的，不可逆的。芯片到封裝體的焊接（粘貼）技巧很多，可概括為金屬合金焊接法（或稱(chēng)為低熔點(diǎn)焊接法）和樹(shù)脂粘貼兩大類(lèi)。它們連接芯片的機理大不一樣，必須根據器件的種類(lèi)和要求進(jìn)行合理選擇。要獲得理想的連接質(zhì)量，還需要有針對性地分析各種焊接（粘貼）技巧機理和特點(diǎn)，分析影響其可靠性的諸多因素，并在工藝中不斷地加以改進(jìn)。本文對兩大類(lèi)半導體器件焊接（粘貼）技巧的機理進(jìn)行了簡(jiǎn)單闡述，對幾種常用技巧的特點(diǎn)和適用性進(jìn)行了比較，并討論了在半導體器件中應用最為廣泛的金-硅合金焊接失效模式及其解決辦法。
2 芯片焊接(粘貼)技巧及機理
芯片的焊接是指半導體芯片與載體（封裝殼體或基片）形成牢固的、傳導性或絕緣性連接的技巧。焊接層除了為器件提供機械連接和電連接外，還須為器件提供良好的散熱通道。其技巧可分為樹(shù)脂粘接法和金屬合金焊接法。
樹(shù)脂粘貼法是采用樹(shù)脂粘合劑在芯片和封裝體之間形成一層絕緣層或是在其中摻雜金屬（如金或銀）形成電和熱的良導體。粘合劑大多采用環(huán)氧樹(shù)脂。環(huán)氧樹(shù)脂是穩定的線(xiàn)性聚合物，在加入固化劑后，環(huán)氧基打開(kāi)形成羥基并交鏈，從而由線(xiàn)性聚合物交鏈成網(wǎng)狀結構而固化成熱固性塑料。其過(guò)程由液體或粘稠液→凝膠化→固體。固化的條件主要由固化劑種類(lèi)的選擇來(lái)決定。而其中摻雜的金屬含量決定了其導電、導熱性能的好壞。
摻銀環(huán)氧粘貼法是當前最流行的芯片粘貼技巧之一，它所需的固化溫度低，這能夠避免熱應力，但有銀遷移的缺點(diǎn) [2]。近年來(lái)應用于中小功率晶體管的金導電膠優(yōu)于銀導電膠 [3]。非導電性填料包括氧化鋁、氧化鈹和氧化鎂，能夠用來(lái)改善熱導率。樹(shù)脂粘貼法因其操作過(guò)程中載體不須加熱，設備簡(jiǎn)單，易于實(shí)現工藝自動(dòng)化操作且經(jīng)濟實(shí)惠而得到廣泛應用，尤其在集成電路和小功率器件中應用更為廣泛。樹(shù)脂粘貼的器件熱阻和電阻都很高。樹(shù)脂在高溫下簡(jiǎn)單分解，有可能發(fā)生填料的析出，在粘貼面上只留下一層樹(shù)脂使該處電阻增大。因此它不適于要求在高溫下工作或需低粘貼電阻的器件。另外，樹(shù)脂粘貼法粘貼面的機械強度遠不如共晶焊接強度大。
金屬合金焊接法主要指金硅、金鍺、金錫等共晶焊接。這里主要以金硅共晶焊為例加以討論。金的熔點(diǎn)為1063℃，硅的熔點(diǎn)為1414℃，但金硅合金的熔點(diǎn)遠低于單質(zhì)的金和硅。從二元系相圖中能夠看到，含有31%的硅原子和69%的金原子的 Au-Si共熔體共晶點(diǎn)溫度為370℃。這個(gè)共晶點(diǎn)是選擇合適的焊接溫度和對焊接深度進(jìn)行控制的主要根據。金硅共晶焊接法就是芯片在絕對的壓力下（附以摩擦或超聲），當溫度高于共晶溫度時(shí)，金硅合金融化成液態(tài)的Au-Si共熔體；冷卻后，當溫度低于共晶溫度時(shí)，共熔體由液相變?yōu)橐跃ЯＰ问交ハ嘟Y合的機械混合物—— 金硅共熔晶體而全部凝固，從而形成了牢固的歐姆接觸焊接面。共晶焊接法具有機械強度高、熱阻小、穩定性好、可靠性高和含較少的雜質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)，因而在微波功率器件和組件的芯片裝配中得到了廣泛的應用并備受高可靠器件封裝業(yè)的青睞，其焊接強度已達到 245MPa[4]。金屬合金焊接還包括“軟焊料”焊接（如 95Pb/5Sn，92.5Pb/5In/2.5Ag），因為其機械強度相對較小，在半導體器件芯片焊接中不太常用。。
無(wú)論采用哪種焊接技巧，成功的標志都是芯片與封裝體焊接面之間的界面牢固、平整和沒(méi)有空洞。因為Au-Si共晶焊接在半導體器件和微電子電路中應用最為廣泛，因而結合工作實(shí)際這里主要針對此種焊接技巧的失效原因和解決措施進(jìn)行討論。
3 失效模式分析
3.1 歐姆接觸不良
芯片與基片間良好的歐姆接觸是保證功率器件正常工作的前提。歐姆接觸不良會(huì )使器件熱阻加大，散熱不均勻，影響電流在器件中的分布，破壞器件的熱穩定性，甚至使器件燒毀。半導體器件的散熱有輻射、對流和傳導三種方式，其中熱傳導是其散熱的主要方式。以硅微波功率晶體管為例，圖1是硅微波功率管裝配模型，圖2是其熱等效電路。其中Tj為管芯結溫，TC為管殼溫度；R1、R2、R3、R4、R5分別是芯片、Au-Si焊接層、BeO、界面焊料層和鎢銅底座的熱阻?？偀嶙鑂=R1+R2 +R3+R4+R 5。芯片集電結產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)硅片、焊接層、BeO傳到WCu外殼。 Au-Si焊接層的虛焊和空洞是造成歐姆接觸不良的主要原因，空洞會(huì )引起電流密集效應，在它附近有可能形成不可逆的，破壞性的熱電擊穿，即二次擊穿。焊接層的歐姆接觸不良給器件的可靠性帶來(lái)極大隱患。
3.2 熱應力失效
這是一種由機械應力導致的失效。因為其失效的最終表現形式往往是焊接面裂紋或芯片剝裂，因而在這里把它歸結為微焊接失效模式之一來(lái)加以討論。微電子器件的焊接界面是由性能各異的部分材料組成，如Si、SiO 2、BeO、Al2O3、WCu等。這些材料的線(xiàn)熱膨脹系數各不一樣，如常用作底座的WCu其膨脹系數比Si晶體幾乎大4倍。當它們結合在一起時(shí)，不同的材料界面間會(huì )存在壓縮或拉伸應力。微波功率器件在工作期間往往要經(jīng)受熱循環(huán)，因為芯片和封裝體的熱膨脹系數不同，在熱循環(huán)過(guò)程中焊接面間產(chǎn)生周期性的剪切應力，這些應力將可能聚集在空洞的位置上使焊料形成裂紋甚至使硅片龜裂，最終導致器件因熱疲勞而失效。
在芯片與管殼之間的焊層中，最大的熱剪切力形變可估計為
S=DΔαΔT/2d ?。ǎ保?/p>
式中，D為芯片對角線(xiàn)尺寸；d為焊層厚度；ΔT=Tmax－Tmin，Tmax為焊料凝固線(xiàn)溫度，Tmin為器件篩選中的最低溫度；Δα為芯片與基片材料的熱膨脹系數之差。
從上式能夠看到，熱形變直接與芯片大小成正比，芯片尺寸越大，焊接后其在溫循中要承受的剪切力也就越大。從這個(gè)角度講，大功率器件采用小芯片多胞合成是非常必要的。
在焊接中，必須充分考慮到芯片與基片的熱匹配情況，在硅器件中若使用熱膨脹系數同硅非常相近的陶瓷基片（如AlN），將大大降低熱應力，可用于大芯片裝配。
4 焊接質(zhì)量的三種檢驗技巧
4.1 剪切力測量
這是檢驗芯片與基片間焊接質(zhì)量最常用和直觀(guān)的技巧。圖3是用來(lái)檢測芯片焊接的GJB548A -96的最小剪切力與芯片面積的關(guān)系。在焊接良好的情況下，即便芯片推碎了，焊接處仍然留有很大的芯片殘留痕跡。一般焊接空洞處不粘附芯片襯底材料，芯片推掉后可直接觀(guān)察到空洞的大小和密度。圖4是某器件芯片推掉后觀(guān)察到的焊接空洞照片。用樹(shù)脂粘貼法粘貼的器件，若要在較高、較低溫度下長(cháng)期工作,應測不同溫度下的剪切力強度。
4.2 電性能考試
對于芯片與基片或底座導電性連接（如共晶焊、導電膠粘貼）的雙極器件，其焊接（粘貼）質(zhì)量的好壞直接影響器件的熱阻和飽和壓降 Vces，所以對晶體管之類(lèi)的器件能夠通過(guò)測量器件的Vces來(lái)無(wú)損地檢驗芯片的焊接質(zhì)量。在保證芯片電性能良好的情況下，如果Vces過(guò)大，則可能是芯片虛焊或有較大的“空洞”。此種技巧可用于批量生產(chǎn)的在線(xiàn)考試。
4.3 超聲波檢測
超聲波檢測技巧的理論根據是不同介質(zhì)的界面具有不同的聲學(xué)性質(zhì)，反射超聲波的才能也不同。當超聲波遇到缺陷時(shí)，會(huì )反射回來(lái)產(chǎn)生投射面積和缺陷相近的“陰影”。對于采用多層金屬陶瓷封裝的器件，往往需對封裝體進(jìn)行背面減薄后再進(jìn)行檢測。同時(shí)，因為熱應力而造成的焊接失效，用一般的考試和檢測手段很難發(fā)現，必需要對器件施加高應力，一般是經(jīng)老化后缺陷被激活，即器件失效后才能被發(fā)現。圖5是某失效器件經(jīng)背面減薄后的聲掃照片，黑色圈內部分為焊接缺陷。利用超聲波能夠精確地檢測出焊接區域內缺陷的位置和大小。
采用超聲波探傷儀進(jìn)行超聲波檢測是檢驗芯片焊接質(zhì)量好壞的有效技巧。
5 焊接不良原因及對應措施
5.1 芯片背面氧化
器件生產(chǎn)過(guò)程中，焊接前往往先在芯片背面蒸金。在A(yíng)u-Si共晶溫度下，Si會(huì )穿透金層而氧化生成SiO 2，這層SiO2會(huì )使焊接浸潤不均勻，導致焊接強度下降。即便在室溫下，硅原子也會(huì )通過(guò)晶粒間的互擴散緩慢移動(dòng)到金層表面。因此，在焊接時(shí)保護氣體N2必須保證足夠的流量，最好加入部分H 2進(jìn)行還原。芯片的保存也應引起足夠的重視，不僅要關(guān)注環(huán)境的溫濕度，還應考慮到其將來(lái)的可焊性，對于長(cháng)期不用的芯片應放置在氮氣柜中保存。
5.2 焊接溫度過(guò)低
雖然Au-Si共晶點(diǎn)是370℃，但是熱量在傳遞過(guò)程中要有所損失，因而應選擇略高部分，但也不可太高，以免造成管殼表面氧化。焊接溫度也要根據管殼的材料、大小、熱容量的不同進(jìn)行對應調整。為保證焊接質(zhì)量，應定期用表面溫度計測量加熱基座的表面溫度，必要時(shí)監測焊接面的溫度。
5.3 焊接時(shí)壓力太小或不均勻
焊接時(shí)應在芯片上施加絕對的壓力。壓力太小或不均勻會(huì )使芯片與基片之間產(chǎn)生空隙或虛焊。表2是某型號芯片在不同壓力下的剪切力強度比較。從表2中能夠看出，壓力減小后，芯片剪切力強度大幅度下降，而且實(shí)驗中還可觀(guān)察到硅片殘留面積均小于50%。但也不能使壓力過(guò)大，以免碎片。因此焊接時(shí)壓力的調整是很重要的，要根據芯片的材料、厚度、大小的綜合情況進(jìn)行調整，在實(shí)踐中有針對性地積累數據，才能得到理想的焊接效果。
5.4 基片清潔度差
基片被沾污、有部分油漬或氧化會(huì )嚴重影響焊接面的浸潤性。這種沾污在焊接過(guò)程中是較簡(jiǎn)單觀(guān)察到的，這時(shí)必須對基片進(jìn)行再處理。
5.5 熱應力過(guò)大
熱應力引起的失效是個(gè)緩慢的漸變過(guò)程，它不易察覺(jué)，但危害極大。一般芯片厚度越大應力對應越小。因此芯片不應過(guò)薄。另外如果基片或底座與芯片熱性能不匹配，也會(huì )造成很大的機械應力。焊接前基片或底座可先在200℃預熱，用于拾取芯片的吸頭也可適當加熱以減少熱沖擊。焊接后能夠在N2 保護氣氛下進(jìn)行緩慢冷卻，在此冷卻過(guò)程中也可消除部分應力。
5.6 基片金層過(guò)薄
當基片鍍金層較薄又不夠致密時(shí)，即便在氮氣保護下，達到Au-Si共晶溫度時(shí)，鍍層也會(huì )發(fā)生嚴重的變色現象，從而影響焊接強度。實(shí)驗證明，對于1mm×1mm的芯片，基片上鍍金層厚度大于2μm才能獲得可靠的共晶焊。一般來(lái)說(shuō)，芯片尺寸越大，鍍金層也要對應增加。
結語(yǔ)：
隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，芯片的焊接（粘貼）技巧也越來(lái)越多并不斷完善。半導體器件焊接（粘貼）失效主要與焊接面潔凈度差、不平整、有氧化物、加熱不當和基片鍍層質(zhì)量有關(guān)。樹(shù)脂粘貼法還受粘料的組成結構及其有關(guān)的物理力學(xué)性能的制約和影響。要解決芯片微焊接不良問(wèn)題，必須明白不同技巧的機理，逐一分析各種失效模式，及時(shí)發(fā)現影響焊接（粘貼）質(zhì)量的不利因素，同時(shí)嚴格生產(chǎn)過(guò)程中的檢驗，加強工藝管理，才能有效地避免因芯片焊接不良對器件可靠性造成的潛在危害。
